FDM3622厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDM3622 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.206994 +6000：￥4.946602	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.997668 +6000：￥8.547712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.148674 +10：￥18.96088 +100：￥14.782194 +500：￥12.211051 +1000：￥9.640393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.148674 +10：￥18.96088 +100：￥14.782194 +500：￥12.211051 +1000：￥9.640393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDM3622 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 4.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1090 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥23.673524 +10：￥21.224538 +100：￥16.598677 +500：￥13.605474 +1000：￥10.925195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3622 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥7.360206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDM3622参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1090 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）