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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP630_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQP630
授权代理品牌
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¥2.658167

+200:

¥1.028693

+500:

¥0.992523

+1000:

¥0.974713

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 78W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP630_未分类
FQP630
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

未分类

+1166:

¥2.480808

+5828:

¥2.431651

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 78W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQP630_未分类
FQP630
授权代理品牌

FQP630 VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥2.787593

+300:

¥2.671444

+4100:

¥2.555294

+6850:

¥2.508812

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¥2.322994

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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FQP630_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.157421

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 78W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FQP630_晶体管-FET,MOSFET-单个
+807:

¥5.277624

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 78W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FQP630_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 78W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP630_未分类
FQP630
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 50

FQP630参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 78W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)