FDMS86202ET120厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.035479 +10：￥48.6904 +30：￥40.575293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.147719 +10：￥29.973502 +30：￥27.482084 +100：￥24.968812 +500：￥23.810521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+421：￥22.956718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+10：￥49.518176 +100：￥40.581906 +500：￥34.542388 +1000：￥29.129076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+1：￥65.655662 +10：￥58.949716 +100：￥48.299167 +500：￥41.117507 +1000：￥34.678355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥65.324007 +100：￥41.694566 +500：￥34.379919 +1000：￥31.603163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.722669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥43.354344	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥106.019543 +10：￥71.551717 +100：￥52.02607 +500：￥43.70759 +1000：￥43.354498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥106.019543 +10：￥71.551717 +100：￥52.02607 +500：￥43.70759 +1000：￥43.354498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

FDMS86202ET120参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.5A（Ta），102A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4585 pF 60 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），187W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+421：￥22.956718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+10：￥49.518176 +100：￥40.581906 +500：￥34.542388 +1000：￥29.129076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册未分类	+1：￥65.655662 +10：￥58.949716 +100：￥48.299167 +500：￥41.117507 +1000：￥34.678355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86202ET120 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥65.324007 +100：￥41.694566 +500：￥34.379919 +1000：￥31.603163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），102A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4585 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）