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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册未分类	+20：￥37.180948 +760：￥35.251827 +1500：￥34.192583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥10.857305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥26.559845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.935094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： 4-PQFN (8x8)
FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.935094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： 4-PQFN (8x8)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT360N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥50.023557 +10：￥45.135262 +25：￥43.831717 +100：￥40.40991 +250：￥38.780478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

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	FCMT360N65S3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥20.931485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT360N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 10 A, PQFN4封装, 表面贴装, 4引脚下载数据手册未分类	+20：￥20.558541 +760：￥20.127976 +1500：￥19.523278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FCMT360N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 10 A, PQFN4封装, 表面贴装, 4引脚下载数据手册未分类	+760：￥20.127976 +1500：￥19.523278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCMT360N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	730 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	4-PQFN（8x8）
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）