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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥26.607902 +10：￥23.438994 +50：￥21.570431 +100：￥19.669086 +500：￥17.057468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.569554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 授权代理品牌	FQP47P06 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121521 +20：￥5.968715 +50：￥5.866844 +200：￥5.714037 +1000：￥5.561231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP47P06 授权代理品牌	FQP47P06 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.884136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP47P06 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FQP47P06 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+1000：￥2.011721 +2000：￥1.970393 +3000：￥1.911239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP47P06 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP47P06 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥4.253114 +100：￥4.181805 +300：￥4.076114	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.083995 +10：￥16.024685 +100：￥12.963024 +500：￥11.522624 +1000：￥9.866309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.549064 +50：￥34.146554 +100：￥31.010334 +500：￥25.512617 +1000：￥23.747155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FQP47P06 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥25.701708 +10：￥16.293047 +100：￥10.903338 +500：￥8.592326 +1000：￥7.848659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP47P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥60.52756 +10：￥59.200929 +25：￥35.984879 +100：￥32.336642 +500：￥28.854234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

FQP47P06参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 23.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）