搜索 FDS8813NZ 共 11 条相关记录
自营 现货库存
Digi-Key
Mouser
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDS8813NZ 授权代理品牌 | +2500: ¥8.786448 +5000: ¥8.518705 +12500: ¥8.517119 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDS8813NZ 授权代理品牌 | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R | +10: ¥7.725823 +25: ¥7.446851 +100: ¥6.736138 +250: ¥6.722851 +500: ¥6.26644 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDS8813NZ 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 18.5A, SOIC-8 | +1: ¥10.903224 +10: ¥9.966829 +100: ¥8.183831 +500: ¥6.888273 +1000: ¥6.118633 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDS8813NZ 授权代理品牌 | onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 18.5 A, SOIC封装, 贴片, 8引脚 | +625: ¥7.696443 +1250: ¥7.464609 | 暂无参数 |
FDS8813NZ参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 18.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 76 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4145 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |