品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 欧姆 150mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta），3W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-92-3

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 300mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.5Ohm @ 150mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1W (Ta), 3W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.2 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 170 pF @ 25 V