FQPF10N20C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.726199 +10：￥3.638781 +30：￥3.584145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF10N20C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF10N20C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.664622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF10N20C 授权代理品牌	FQPF10N20C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.179764 +20：￥3.100583 +50：￥3.047448 +200：￥2.968266 +1000：￥2.888043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.869347 +15000：￥5.674678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.130658 +50：￥4.780462 +100：￥4.320803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.336007 +50：￥11.694277 +100：￥10.569828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥18.654949 +10：￥16.831533 +100：￥13.100543 +500：￥10.828286 +1000：￥8.640187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥6.796298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF10N20C onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 9.5 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF10N20C 下载数据手册未分类	+50：￥8.397672 +100：￥8.145663 +200：￥7.90141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQPF10N20C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 4.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	510 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）