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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册未分类	+1：￥30.405924 +10：￥29.691727 +30：￥29.219096 +100：￥28.746465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.549542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.460676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.029764 +9000：￥12.81433 +30000：￥12.706787 +90000：￥12.275919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.496177 +6000：￥6.251983 +9000：￥6.044993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.89137 +6000：￥15.294007 +9000：￥14.787654	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.290342 +10：￥29.275268 +100：￥23.298769 +500：￥19.714872 +1000：￥16.727765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.290342 +10：￥29.275268 +100：￥23.298769 +500：￥19.714872 +1000：￥16.727765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86260 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 下载数据手册未分类	+1：￥40.178835 +10：￥32.339061 +100：￥26.459232 +250：￥24.989275 +500：￥22.049361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86260 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥13.702691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86260参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	34 毫欧 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1330 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）