品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 79W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQP17P06

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 17 A

Rds On-漏源导通电阻： 120 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 27 nC

Pd-功率耗散： 79 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 60 ns

正向跨导 - 最小值： 9.3 S

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 100 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 22 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

宽度： 4.7 mm

零件号别名： FQP17P06_NL

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 175 C