 | FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMS6681Z | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMS6681Z | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMS6681Z | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 停产 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21.1A（Ta），49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 22.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 241 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-PQFN（5x6） 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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