FDPF3860T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDPF3860T 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.487386 +10：￥11.464266 +30：￥9.441146 +100：￥7.755253 +500：￥6.743693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.829234 +10：￥7.332198 +30：￥6.501726 +100：￥5.572908 +500：￥4.567599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDPF3860T VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDPF3860T VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.001342 +300：￥2.876339 +3800：￥2.75123 +6350：￥2.701166 +12650：￥2.501118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册未分类	+14：￥9.820224 +100：￥8.113879 +500：￥7.095078 +1000：￥6.616345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDPF3860T 授权代理品牌	FDPF3860T VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.857482 +5：￥2.786056 +10：￥2.714631 +30：￥2.643205 +50：￥2.595511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.83035 +10：￥7.884648 +100：￥6.147063 +500：￥5.078192 +1000：￥4.009093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDPF3860T ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.83035 +10：￥7.884648 +100：￥6.147063 +500：￥5.078192 +1000：￥4.009093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF3860T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.601376 +10：￥19.287939 +100：￥15.037345 +500：￥12.422604 +1000：￥9.807304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38.2 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDPF3860T ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 38.2mOhm @ 5.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1800 pF @ 25 V

FDPF3860T参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	38.2 毫欧 5.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	33.8W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）