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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8874 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.267164 +10：￥6.344181 +30：￥5.834949 +100：￥5.357544 +500：￥5.060492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3130 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8874 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.992078 +10：￥4.533644 +30：￥4.266959 +100：￥4.000274 +500：￥3.8836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3130 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8874 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.35429 +10：￥7.834122 +30：￥7.373292 +100：￥6.912461 +500：￥6.710848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3130 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDP8874参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.3 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	72 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3130 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）