搜索 FQPF12N60T 共 4 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | FQPF12N60T 授权代理品牌 | +1： ￥7.583525 +200： ￥2.939436 +500： ￥2.84109 +1000： ￥2.786454 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +287： ￥14.926894 | 系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220F | ||
| 授权代理品牌 | 1+: |
Mouser
FQPF12N60T参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 700 毫欧 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 54 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1900 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 55W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220F-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |