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自营 现货库存
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FDMS86550_未分类
FDMS86550
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

未分类

+1:

¥36.409664

+10:

¥31.798356

+30:

¥29.055611

+100:

¥26.291012

+500:

¥25.012521

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.65 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 154 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11530 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),156W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS86550_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥23.238348

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.65 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 154 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11530 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),156W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS86550_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥40.155788

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.65 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 154 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11530 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),156W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS86550_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥82.489957

+10:

¥69.256675

+100:

¥56.030868

+500:

¥49.805742

+1000:

¥42.646062

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS86550_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥82.489957

+10:

¥69.256675

+100:

¥56.030868

+500:

¥49.805742

+1000:

¥42.646062

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS86550_未分类
FDMS86550
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

未分类

+1:

¥97.959407

+10:

¥88.027412

+25:

¥83.265497

+100:

¥72.109008

+500:

¥61.496739

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列: FDMS86550

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 32 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V

Qg-栅极电荷: 154 nC

Pd-功率耗散: 2.7 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench Power Clip

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 11 ns

正向跨导 - 最小值: 96 S

高度: 0.8 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 27 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 42 ns

典型接通延迟时间: 43 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 56.500 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS86550_未分类
FDMS86550
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥37.872905

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMS86550参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),155A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.65 毫欧 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 154 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11530 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),156W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)