FDD86113LZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.892279 +10：￥13.2616 +30：￥11.051293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.49425 +10：￥16.959123 +30：￥15.363742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86113LZ JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD86113LZ JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.109747 +7500：￥1.090459 +12500：￥1.061579 +22500：￥1.013307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86113LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD86113LZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.930067 +2500：￥1.817501 +7500：￥1.769228 +15000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册未分类	+13：￥10.199859 +100：￥7.890433 +500：￥6.531323 +1000：￥5.160036 +2500：￥4.799283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.046571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.452719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.187956 +10：￥16.301294 +100：￥12.705781 +500：￥10.496079 +1000：￥8.286378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)
FDD86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.187956 +10：￥16.301294 +100：￥12.705781 +500：￥10.496079 +1000：￥8.286378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)

FDD86113LZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta），5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	104 毫欧 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	285 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），29W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）