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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.120205 +10：￥20.933484 +30：￥16.746763 +100：￥13.955656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5915 pF 37.5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta），104.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥18.434304 +10：￥16.106796 +30：￥14.653469 +100：￥13.156433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5915 pF 37.5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta），104.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+25：￥24.608542 +100：￥20.937104 +500：￥17.265663 +1000：￥14.288805 +3000：￥12.899643	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.829305 +100：￥17.757968 +500：￥14.643956 +1000：￥13.463179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5915 pF 37.5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta），104.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.268726 +6000：￥6.999518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5915 pF 37.5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta），104.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.78123 +6000：￥17.122676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5915 pF 37.5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta），104.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.917148 +10：￥34.909694 +100：￥28.055068 +500：￥23.049657 +1000：￥19.098337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.917148 +10：￥34.909694 +100：￥28.055068 +500：￥23.049657 +1000：￥19.098337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥46.86643 +10：￥38.997068 +100：￥30.952829 +250：￥28.504583 +500：￥25.881462	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS037N08B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥13.590387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS037N08B参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.7 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	100 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5915 pF 37.5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830mW（Ta），104.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）