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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥6.064635 +10：￥5.113962 +30：￥4.633162 +100：￥4.16329 +500：￥3.890108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 670mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 欧姆 335mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.50604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 670mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 欧姆 335mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQT3P20TF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQT3P20TF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.881794 +200：￥1.849647 +660：￥1.817501 +1970：￥1.769228 +6550：￥1.720955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册未分类	+5：￥8.188286 +100：￥6.282069 +500：￥4.975359 +1000：￥3.608652 +4000：￥3.356828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 670mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 欧姆 335mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT3P20TF 授权代理品牌	FQT3P20TF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥7.345825 +100：￥7.040212 +500：￥6.734599 +1000：￥6.427597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.630499 +8000：￥1.544708 +12000：￥1.430285 +28000：￥1.416098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 670mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 欧姆 335mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.988632 +8000：￥3.778765 +12000：￥3.498857 +28000：￥3.464151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 670mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 欧姆 335mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.474481 +10：￥9.098918 +100：￥6.29731	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
FQT3P20TF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.474481 +10：￥9.098918 +100：￥6.29731	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

FQT3P20TF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	670mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 欧姆 335mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）