品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50mA

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA, 10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50mA

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50mA

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）