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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD6N40CTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.466283 +30：￥4.287631 +120：￥4.10898 +2500：￥4.001789 +7500：￥3.858869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥63.081302 +10：￥54.069687 +30：￥47.310977 +100：￥39.840822 +500：￥37.848781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.864598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥3.361743 +1000：￥3.264155 +1500：￥3.167262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +30：￥4.552245 +100：￥4.356027 +2500：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥39.557435 +40000：￥38.458618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥30.09825 +5000：￥29.403675 +7500：￥28.24605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥55.566 +4500：￥54.6399 +7000：￥53.7138 +9500：￥52.7877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.00906 +5000：￥3.818104 +12500：￥3.641927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQD6N40CTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	625 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD6N40CTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.466283 +30：￥4.287631 +120：￥4.10898 +2500：￥4.001789 +7500：￥3.858869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥63.081302 +10：￥54.069687 +30：￥47.310977 +100：￥39.840822 +500：￥37.848781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.864598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥3.361743 +1000：￥3.264155 +1500：￥3.167262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM 授权代理品牌	FQD6N40CTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +30：￥4.552245 +100：￥4.356027 +2500：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥39.557435 +40000：￥38.458618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥30.09825 +5000：￥29.403675 +7500：￥28.24605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD6N40CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥55.566 +4500：￥54.6399 +7000：￥53.7138 +9500：￥52.7877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）