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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8884 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET TSOP6 N-Channel ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥1.107513 +10：￥1.066494 +100：￥0.968048 +500：￥0.918826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.540745 +200：￥0.596332 +500：￥0.575326 +1000：￥0.564929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC8884 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC8884 下载数据手册未分类	+1：￥1.436246 +10：￥1.184495 +30：￥1.076601 +100：￥0.968708 +500：￥0.896779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC8884 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC8884 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.468498 +9000：￥0.456273 +15000：￥0.444046 +54000：￥0.427709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC8884 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC8884 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.771521 +3000：￥0.726516 +9000：￥0.694369 +33000：￥0.675081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册未分类	+5：￥4.335185 +100：￥3.277169 +3000：￥2.996969 +6000：￥2.144187 +9000：￥1.949232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.934062 +10：￥5.963293 +100：￥4.449356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
FDC8884 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.934062 +10：￥5.963293 +100：￥4.449356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC8884参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta），8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	465 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）