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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册未分类	+1：￥5.146744 +200：￥1.988763 +500：￥1.9232 +1000：￥1.890418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95mOhm 3.1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.4W (Tj) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95mOhm 3.1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.4W (Tj) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95mOhm 3.1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.4W (Tj) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)
FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDFMA2P029Z ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V FET Feature： Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max)： 1.4W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V
FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1171：￥5.129687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V FET Feature： Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max)： 1.4W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFMA2P029Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95mOhm 3.1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.4W (Tj) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDFMA2P029Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95mOhm 3.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	720 pF 10 V
FET 功能:	Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）:	1.4W (Tj)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	6-MicroFET (2x2)
封装/外壳:	6-VDFN Exposed Pad
温度:	-55°C # 150°C (TJ)