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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.513719 +10：￥2.34256 +30：￥1.952093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1005 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.699036 +10：￥2.185454 +30：￥1.966909 +100：￥1.6828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1005 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC610PZ 授权代理品牌	FDC610PZ VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.225925 +100：￥1.173832 +500：￥1.123475 +1000：￥1.071382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC610PZ 授权代理品牌	FDC610PZ VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.225925 +100：￥1.173832 +500：￥1.123475 +1000：￥1.071382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.61179 +200：￥3.521495 +500：￥3.431201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1005 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC610PZ 授权代理品牌	FDC610PZ TOOHONG/韩国太虹下载数据手册未分类	+100：￥2.49584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.160183 +6000：￥1.085354 +15000：￥1.010469 +30000：￥0.958078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1005 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.838114 +6000：￥2.655063 +15000：￥2.471875 +30000：￥2.343712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1005 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.07984 +10：￥6.867864 +100：￥5.126519 +500：￥4.028219 +1000：￥3.112829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
FDC610PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.07984 +10：￥6.867864 +100：￥5.126519 +500：￥4.028219 +1000：￥3.112829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC610PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1005 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）