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FCD2250N80Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
FCD2250N80Z
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¥19.488986

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¥11.206173

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¥9.744493

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.25 欧姆 1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 585 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 39W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FCD2250N80Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
FCD2250N80Z
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¥6.709344

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¥5.824235

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.25 欧姆 1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 585 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 39W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FCD2250N80Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.25 欧姆 1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 585 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 39W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

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系列: SuperFET® II

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.25 欧姆 1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 585 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 39W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: SuperFET® II

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

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货期:7~10 天

系列: SuperFET® II

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

Mouser
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FCD2250N80Z
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MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK

未分类

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货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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FCD2250N80Z
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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¥21.805534

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货期:7~10 天

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FCD2250N80Z参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: SuperFET® II
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.25 欧姆 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 585 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 39W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)