 | FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
![FDA28N50F_未分类]() | FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 未分类 | | | 暂无参数 |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| FDA28N50F | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175mOhm 14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5387 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
