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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.862635 +10：￥4.152363 +30：￥3.80269 +100：￥3.44209 +500：￥3.234472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.163384 +50：￥7.042991 +100：￥6.862401 +300：￥6.802205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDD6670A UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD6670A UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.918923 +5000：￥0.835342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.603534 +5000：￥3.431947 +12500：￥3.273505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.226895 +5000：￥5.930393 +12500：￥5.656604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.059591 +10：￥12.31924 +100：￥9.580122 +500：￥8.120082 +1000：￥6.614617	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)
FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.059591 +10：￥12.31924 +100：￥9.580122 +500：￥8.120082 +1000：￥6.614617	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥18.048438 +10：￥16.165123 +100：￥12.539743 +500：￥10.483789 +1000：￥8.537697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥16.119609 +10：￥14.554888 +25：￥14.410501 +100：￥11.629472 +250：￥11.511765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD6670A onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+13：￥8.132848 +25：￥8.052168 +100：￥6.49821 +250：￥6.432439 +500：￥5.323972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD6670A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta），66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1755 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）