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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+1：￥16.479066 +10：￥14.536027 +30：￥13.31769 +100：￥12.067844 +500：￥11.511189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.057164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+610：￥13.132931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+10：￥36.785591 +100：￥30.138739 +500：￥25.65566 +1000：￥21.638663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+610：￥15.335426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86101DC VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS86101DC VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.503988 +5000：￥7.066266 +15000：￥6.878655 +20000：￥6.566043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+10：￥35.206356 +100：￥28.891553 +500：￥24.597593 +1000：￥20.724494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.456105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥26.708096	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.252561 +10：￥47.794174 +100：￥39.158788 +500：￥33.334895 +1000：￥28.113844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Dual Cool™, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Dual Cool™56

FDMS86101DC参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Dual Cool™, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14.5A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3135 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+610：￥13.132931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+10：￥36.785591 +100：￥30.138739 +500：￥25.65566 +1000：￥21.638663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+610：￥15.335426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3135 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86101DC VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS86101DC VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.503988 +5000：￥7.066266 +15000：￥6.878655 +20000：￥6.566043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86101DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 下载数据手册未分类	+10：￥35.206356 +100：￥28.891553 +500：￥24.597593 +1000：￥20.724494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数