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	FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥16.093242 +200：￥12.036112 +800：￥9.331399 +2500：￥6.761843 +12500：￥6.085695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.06344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥6.598463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FDD390N15A ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.018912 +1000：￥3.668978 +2500：￥3.509456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.715419 +10：￥9.852982 +50：￥9.159804 +100：￥7.720313 +200：￥7.29378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.390915 +2500：￥3.193077 +7500：￥3.051847 +10000：￥2.966993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.1958 +100：￥10.961037 +500：￥9.545598 +1000：￥7.555638 +2500：￥6.080562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥7.376387 +150：￥6.88729 +250：￥6.76956 +350：￥6.651829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.264503 +10：￥3.18289 +30：￥3.101278 +50：￥3.019665 +80：￥2.938052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.127991 +5000：￥2.97907 +12500：￥2.841545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDD390N15A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1285 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥6.598463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FDD390N15A ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.018912 +1000：￥3.668978 +2500：￥3.509456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.715419 +10：￥9.852982 +50：￥9.159804 +100：￥7.720313 +200：￥7.29378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.390915 +2500：￥3.193077 +7500：￥3.051847 +10000：￥2.966993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.1958 +100：￥10.961037 +500：￥9.545598 +1000：￥7.555638 +2500：￥6.080562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥7.376387 +150：￥6.88729 +250：￥6.76956 +350：￥6.651829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1285 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.264503 +10：￥3.18289 +30：￥3.101278 +50：￥3.019665 +80：￥2.938052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数