锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 FDB38N30U 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_未分类
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

未分类
+1：

￥15.199014

+200：

￥5.889078

+500：

￥5.683392

+1000：

￥5.575137

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 313W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D²PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_未分类
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

下载数据手册

未分类
+1：

￥23.931686

+10：

￥20.512859

+30：

￥17.948713

+100：

￥15.114744

+500：

￥14.359032

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 313W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D²PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDB38N30U_未分类
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

下载数据手册

未分类
+1：

￥41.126444

+10：

￥26.215678

+50：

￥21.245347

+100：

￥19.880986

+500：

￥17.542067

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 313W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D²PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌
+800：

￥14.435964

+1600：

￥12.174905

+2400：

￥11.566188

+5600：

￥11.13135

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 313W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D²PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌
+800：

￥24.945299

+1600：

￥21.038196

+2400：

￥19.986334

+5600：

￥19.234934

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 313W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D²PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDB38N30U_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥39.806008

+10：

￥35.765458

+100：

￥29.302976

库存： 0

货期：7~10 天

系列： UniFET™

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

FDB38N30U_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥39.806008

+10：

￥35.765458

+100：

￥29.302976

库存： 0

货期：7~10 天

系列： UniFET™

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_未分类
FDB38N30U
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

下载数据手册

未分类
+1：

￥44.389336

+10：

￥39.751643

+100：

￥32.596348

+500：

￥32.463842

+800：

￥23.320964

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 800

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDB38N30U_未分类
FDB38N30U
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

下载数据手册

未分类
+800：

￥19.855203

+1600：

￥19.663796

+2400：

￥18.974734

+4800：

￥18.885411

+5600：

￥18.706765

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDB38N30U参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 120mOhm 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 73 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3340 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 313W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: D²PAK (TO-263)
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度: -55°C # 150°C (TJ)