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FDS6680A_未分类
FDS6680A
TECH PUBLIC(台舟电子)
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FDS6680A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS6680A
ON(安森美)
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￥22.592999

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￥15.06208

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￥12.551693

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDS6680A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS6680A
ON(安森美)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS6680A_未分类
FDS6680A
TECH PUBLIC(台舟电子)
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￥1.187466

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￥1.026836

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￥0.957994

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库存： 1000 +

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FDS6680A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS6680A
ON(安森美)
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￥3.872847

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￥3.61911

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDS6680A
ON(安森美)
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￥5.302554

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￥5.050092

+12500：

￥4.81706

+25000：

￥4.807774

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS6680A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS6680A
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￥12.858829

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￥10.487089

+100：

￥8.158213

+500：

￥6.914621

+1000：

￥5.63274

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

FDS6680A_晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥12.858829

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￥10.487089

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￥8.158213

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￥6.914621

+1000：

￥5.63274

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser
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FDS6680A_未分类
FDS6680A
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

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未分类
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￥14.699574

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￥11.498335

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￥9.211735

+500：

￥7.905105

+1000：

￥6.45148

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 2500

艾睿
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FDS6680A_未分类
FDS6680A
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

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未分类
+2500：

￥5.770031

+5000：

￥5.498611

+12500：

￥5.247468

+25000：

￥5.23811

库存： 0

货期：7~10 天

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