FDS6680A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS6680A 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6680A TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS6680A 下载数据手册未分类	+1：￥1.680993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6680A TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	MOSFETs N沟道 30V 12A 16mΩ@4.5V,8A SOP8_150MIL 下载数据手册未分类	+10：￥1.232375 +50：￥1.141088 +200：￥1.065015 +600：￥0.988943 +1500：￥0.928085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.592999 +10：￥15.06208 +30：￥12.551693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6680A 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDS6680A SOP-8 下载数据手册未分类	+1：￥2.049861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6680A TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.187466 +50：￥1.026836 +150：￥0.957994 +500：￥0.871996 +3000：￥0.833751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.872847 +100：￥3.61911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.302554 +5000：￥5.050092 +12500：￥4.81706 +25000：￥4.807774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +10：￥10.487089 +100：￥8.158213 +500：￥6.914621 +1000：￥5.63274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6680A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +10：￥10.487089 +100：￥8.158213 +500：￥6.914621 +1000：￥5.63274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS6680A参数规格

属性	参数值