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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP22N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 下载数据手册未分类	+541：￥16.545833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±45V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 205W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP22N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.60499 +10：￥23.898915 +100：￥19.581159 +500：￥16.668967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±45V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 205W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP22N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥65.082855 +10：￥58.463078 +100：￥47.900702 +500：￥40.776708	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±45V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 205W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP22N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥72.848652 +10：￥65.606388 +25：￥63.618316 +100：￥53.677954 +500：￥45.725665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

FCP22N60N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SupreMOS™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	165 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±45V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1950 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	205W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）