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	FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.853215 +30：￥21.099657 +100：￥19.592539 +500：￥18.085422 +1000：￥17.331863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.434214 +10：￥47.119094 +30：￥38.803974 +90：￥34.646414 +450：￥31.874667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.5657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册未分类	+450：￥16.969239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.995666 +10：￥42.237162 +100：￥32.792799 +500：￥27.837839 +1000：￥23.483292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.974487 +10：￥41.319427 +100：￥33.846985 +500：￥28.816193 +1000：￥24.308628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.839177 +10：￥49.304299 +30：￥46.642511 +120：￥40.361321 +510：￥34.391074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.684314 +30：￥21.929423 +120：￥18.797416 +510：￥16.708711 +1020：￥14.306892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDA28N50参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	155 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	105 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5140 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册未分类	+450：￥16.969239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.995666 +10：￥42.237162 +100：￥32.792799 +500：￥27.837839 +1000：￥23.483292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.974487 +10：￥41.319427 +100：￥33.846985 +500：￥28.816193 +1000：￥24.308628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.839177 +10：￥49.304299 +30：￥46.642511 +120：￥40.361321 +510：￥34.391074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 155 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）