FDZ661PZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.229479 +10：￥9.4864 +30：￥7.905293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-WLCSP（0.8x0.8）封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册未分类	+1：￥6.545753 +10：￥5.548507 +30：￥5.007448 +100：￥4.381517 +500：￥4.116292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-WLCSP（0.8x0.8）封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.459458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-WLCSP（0.8x0.8）封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.570221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-WLCSP（0.8x0.8）封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.63393 +10：￥8.41552 +25：￥7.90549 +100：￥5.737855 +250：￥5.533842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-XFBGA, WLCSP 供应商器件封装： 4-WLCSP (0.8x0.8)
FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-XFBGA, WLCSP 供应商器件封装： 4-WLCSP (0.8x0.8)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ661PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： WLCSP-4 系列： FDZ661PZ 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 2.6 A Rds On-漏源导通电阻： 140 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： 8.8 nC Pd-功率耗散： 1.3 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 产品类型： MOSFET 单位重量： 67 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ661PZ 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-Pin WLCSP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.466478 +10：￥6.062412 +25：￥6.005301 +50：￥5.736875 +100：￥5.265704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDZ661PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	555 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	4-WLCSP（0.8x0.8）
封装/外壳:	4-XFBGA，WLCSP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）