FDV303N厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDV303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.416106 +20：￥0.378731 +100：￥0.341356 +500：￥0.303981 +1000：￥0.28654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDV303N MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+50：￥0.157106 +500：￥0.141396 +5000：￥0.130922 +10000：￥0.125685 +30000：￥0.120449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDV303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDV303N SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.560351 +100：￥0.419144 +800：￥0.324885 +3000：￥0.235466 +6000：￥0.223729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDV303N 美森科(MSKSEMI) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDV303N SOT-23 下载数据手册未分类	+20：￥0.410432 +100：￥0.306977 +800：￥0.238007 +3000：￥0.172425 +6000：￥0.163834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDV303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.212355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDV303N UMW(友台半导体) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.152702	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDV303N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.273826 +500：￥0.263183 +1000：￥0.258861 +3000：￥0.254645 +10000：￥0.243894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDV303N UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDV303N UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.183394 +1000：￥0.156202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDV303N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDV303N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.193934 +9000：￥0.188876 +15000：￥0.183816 +126000：￥0.17707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDV303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV303N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	680mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）