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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.964581 +200：￥14.177449 +800：￥10.406847 +3000：￥7.541204 +6000：￥7.164168	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.357814 +200：￥7.113653 +500：￥6.862326 +1000：￥6.731198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC8878 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 30V 30A 下载数据手册未分类	+1：￥4.611308 +10：￥3.835472 +30：￥3.44209 +100：￥3.059636 +500：￥2.786454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.305344 +200：￥1.671872 +500：￥1.606309 +1000：￥1.584454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8878 授权代理品牌	FDMC8878 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.197635 +5：￥2.142648 +10：￥2.087777 +30：￥2.03279 +50：￥1.996209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.714413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8878 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： QFN83X3 FET类型： N-Channel 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： 30V 连续漏极电流Id： 30A Rds OnMax@Id,Vgs： 10mΩ@10V Pd-功率耗散Max： 16.7W
	FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.132653 +25：￥8.455795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.167711 +6000：￥3.016832 +9000：￥2.877603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.74906 +6000：￥7.37997 +9000：￥7.03938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMC8878参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.6A（Ta），16.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1230 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.357814 +200：￥7.113653 +500：￥6.862326 +1000：￥6.731198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC8878 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 30V 30A 下载数据手册未分类	+1：￥4.611308 +10：￥3.835472 +30：￥3.44209 +100：￥3.059636 +500：￥2.786454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC8878 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.305344 +200：￥1.671872 +500：￥1.606309 +1000：￥1.584454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A（Ta），16.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）