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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.792279 +200：￥5.26955 +800：￥3.868128 +2500：￥2.802965 +5000：￥2.662847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.25544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS86242 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS86242 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.433863 +50：￥3.296453 +200：￥3.159159 +4000：￥3.076736 +12000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.510295 +2500：￥4.297104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS86242 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.800686 +12000：￥1.76943 +20000：￥1.722431 +24000：￥1.644175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS86242 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.967224 +4000：￥2.794159 +12000：￥2.670525 +20000：￥2.596321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.381298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.821805 +5000：￥2.621744 +7500：￥2.591413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS86242参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	67 毫欧 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	760 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS86242 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS86242 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.433863 +50：￥3.296453 +200：￥3.159159 +4000：￥3.076736 +12000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.510295 +2500：￥4.297104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS86242 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.800686 +12000：￥1.76943 +20000：￥1.722431 +24000：￥1.644175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS86242 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.967224 +4000：￥2.794159 +12000：￥2.670525 +20000：￥2.596321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.381298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS86242 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）