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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC645N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥1.99969

+10:

¥1.955981

+30:

¥1.934127

+100:

¥1.901345

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1460 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC645N_未分类
FDC645N
授权代理品牌

FDC645N VBSEMI/微碧半导体

未分类

+20:

¥1.144197

+100:

¥1.095576

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¥1.048577

+1000:

¥0.999957

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
FDC645N_未分类
FDC645N
授权代理品牌

FDC645N UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

未分类

+3000:

¥0.641787

+6000:

¥0.606828

+9000:

¥0.572793

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDC645N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.691523

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1460 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDC645N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥4.137913

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1460 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC645N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥9.775603

+10:

¥8.58553

+100:

¥6.580823

+500:

¥5.202039

+1000:

¥4.161574

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC645N_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥2.52506

+10:

¥1.929957

+30:

¥1.82081

+100:

¥1.711499

+500:

¥1.662953

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

Mouser
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FDC645N_晶体管
FDC645N
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6

晶体管

+1:

¥9.799716

+10:

¥8.558419

+100:

¥5.928829

+500:

¥4.965191

+1000:

¥4.230212

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SSOT-6

系列: FDC645N

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Qg-栅极电荷: 21 nC

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 9 ns

正向跨导 - 最小值: 33 S

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 35 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 1.6 mm

零件号别名: FDC645N_NL

单位重量: 36 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDC645N_未分类
FDC645N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

未分类

+3000:

¥3.67514

+6000:

¥3.568056

+9000:

¥3.532361

+12000:

¥3.496666

+15000:

¥3.460971

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FDC645N_未分类
FDC645N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

未分类

+1:

¥5.545407

+10:

¥5.23031

+25:

¥5.116438

+100:

¥4.291256

+250:

¥4.267858

库存: 0

货期:7~10 天

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FDC645N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1460 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)