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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.729451 +200：￥9.960841 +800：￥7.311667 +2500：￥5.298348 +5000：￥5.033479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.3361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥3.999892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册未分类	+100：￥6.906377 +500：￥5.699658 +1000：￥4.561761 +2500：￥4.18894 +5000：￥3.943709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD19N10LTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.930067 +2500：￥1.817501 +7500：￥1.769228 +15000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM 授权代理品牌	FQD19N10LTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.819902 +50：￥1.744309 +100：￥1.668601 +5000：￥1.593008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM 授权代理品牌	FQD19N10LTM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥2.383781 +1000：￥2.236184 +1500：￥2.1445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.062598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10LTM UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FQD19N10LTM UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.917534 +5000：￥0.889404 +7500：￥0.871692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.45672 +5000：￥2.339734 +12500：￥2.231742 +25000：￥2.227478	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQD19N10LTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	870 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥3.999892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册未分类	+100：￥6.906377 +500：￥5.699658 +1000：￥4.561761 +2500：￥4.18894 +5000：￥3.943709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD19N10LTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.930067 +2500：￥1.817501 +7500：￥1.769228 +15000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM 授权代理品牌	FQD19N10LTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.819902 +50：￥1.744309 +100：￥1.668601 +5000：￥1.593008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM 授权代理品牌	FQD19N10LTM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥2.383781 +1000：￥2.236184 +1500：￥2.1445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.062598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10LTM UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FQD19N10LTM UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.917534 +5000：￥0.889404 +7500：￥0.871692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数