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	FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.272614 +10：￥46.131734 +30：￥37.990854 +90：￥33.920414 +450：￥31.206747	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥25.842994 +10：￥22.21514 +30：￥18.565432 +90：￥16.379978 +450：￥15.374669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥14.608301 +100：￥13.369336 +500：￥12.496106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥28.269815 +25：￥26.759991 +100：￥23.482487 +250：￥21.898926 +450：￥19.038819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.783 +10：￥25.0047 +30：￥22.2264 +100：￥20.142675 +450：￥19.267511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1800：￥22.532361 +3600：￥21.270434 +7200：￥20.910064 +14400：￥20.549465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.559163 +10：￥19.354495 +100：￥15.857902 +500：￥13.499503 +1000：￥11.385134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.362546 +30：￥37.609095 +120：￥33.342153 +510：￥29.633457 +1020：￥27.084247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥72.467244 +10：￥60.859218 +30：￥43.944668 +120：￥35.984879 +1020：￥29.351721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

FQA40N25参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥14.608301 +100：￥13.369336 +500：￥12.496106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥28.269815 +25：￥26.759991 +100：￥23.482487 +250：￥21.898926 +450：￥19.038819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.783 +10：￥25.0047 +30：￥22.2264 +100：￥20.142675 +450：￥19.267511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA40N25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1800：￥22.532361 +3600：￥21.270434 +7200：￥20.910064 +14400：￥20.549465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）