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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.459352 +10：￥5.639568 +30：￥4.69964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.429615 +10：￥11.703106 +30：￥10.610379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD7N25LZTM ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+1151：￥2.512874 +5754：￥2.462821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+15：￥8.99772 +100：￥6.898669 +500：￥5.450181 +1000：￥4.369932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+5：￥7.997576 +50：￥5.094008 +100：￥4.360435 +200：￥4.136319 +500：￥3.861257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.103412 +5000：￥1.958358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.145501 +5000：￥4.790662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.334003 +10：￥11.715799 +100：￥8.977798 +500：￥7.097315 +1000：￥5.677826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UniFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.334003 +10：￥11.715799 +100：￥8.977798 +500：￥7.097315 +1000：￥5.677826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UniFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.05224 +10：￥12.346871 +100：￥9.468208 +500：￥7.48998 +1000：￥5.989256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

FDD7N25LZTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	635 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	56W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD7N25LZTM ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+1151：￥2.512874 +5754：￥2.462821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+15：￥8.99772 +100：￥6.898669 +500：￥5.450181 +1000：￥4.369932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD7N25LZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 下载数据手册未分类	+5：￥7.997576 +50：￥5.094008 +100：￥4.360435 +200：￥4.136319 +500：￥3.861257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）