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自营 现货库存
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FDC604P_未分类
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

未分类
+1：

￥3.506187

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￥3.127347

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￥2.964971

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￥2.76237

+500：

￥2.672151

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1926 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC604P_未分类
FDC604P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
+5：

￥0.943133

+50：

￥0.829598

+150：

￥0.780863

+500：

￥0.720107

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￥0.617391

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC604P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥1.07025

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1926 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC604P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥2.618116

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1926 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC604P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥7.465206

+10：

￥6.338638

+100：

￥4.728868

+500：

￥3.716044

+1000：

￥2.871389

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC604P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥7.465206

+10：

￥6.338638

+100：

￥4.728868

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￥3.716044

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￥2.871389

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC604P_未分类
FDC604P
ON Semiconductor
授权代理品牌

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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未分类
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需询价

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 5.5A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.6W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SuperSOT™-6

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1926 pF @ 10 V

Mouser
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FDC604P_未分类
FDC604P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

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未分类
+1：

￥7.994979

+10：

￥6.802744

+100：

￥5.077512

+500：

￥3.997489

+1000：

￥3.085781

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FDC604P_未分类
FDC604P
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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未分类
+3000：

￥1.8381

+6000：

￥1.776538

+9000：

￥1.748897

+24000：

￥1.712462

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDC604P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 5.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1926 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C（TJ）