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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.86096 +10：￥9.231816 +30：￥7.602672 +100：￥6.7881 +500：￥6.245052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4105 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.993453 +10：￥5.857017 +30：￥5.24509 +100：￥4.534817 +500：￥4.228853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4105 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+715：￥4.086155 +3572：￥4.006049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4105 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS7670 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS7670 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.34431 +1000：￥3.172826 +5000：￥3.087137 +10000：￥3.001342 +20000：￥2.886984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.509352 +6000：￥3.333884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4105 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.584805 +6000：￥8.155565	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4105 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.207739 +10：￥18.08941 +100：￥14.103607 +500：￥11.650807 +1000：￥9.198006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.207739 +10：￥18.08941 +100：￥14.103607 +500：￥11.650807 +1000：￥9.198006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥19.124524 +10：￥17.212071 +100：￥13.332525 +500：￥11.010263 +1000：￥8.687998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7670 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.190433	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS7670参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4105 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），62W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）