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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册未分类	+1：￥4.806526 +200：￥1.861988 +500：￥1.797034 +1000：￥1.764558	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 109 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.32319 +6000：￥3.021082 +15000：￥2.904887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 109 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.742462 +6000：￥5.22042 +15000：￥5.019635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 109 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.220945 +10：￥11.849426 +25：￥11.243982 +100：￥8.432986 +250：￥8.352672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8601 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SSOT-6 系列： FDC8601 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 100 V Id-连续漏极电流： 2.7 A Rds On-漏源导通电阻： 109 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 5 nC Pd-功率耗散： 1.6 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 2 ns 正向跨导 - 最小值： 5 S 高度： 1.1 mm 长度： 2.9 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 1.3 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： N-Channel Power Trench MOSFET 典型关闭延迟时间： 7.6 ns 典型接通延迟时间： 4.5 ns 宽度： 1.6 mm 单位重量： 36 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC8601 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.093138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDC8601参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	109 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）