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搜索 FDV304P 共 15 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDV304P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV304P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.404331

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￥0.367122

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￥0.292703

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￥0.275338

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 63 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV304P_未分类
FDV304P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
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￥0.212231

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￥0.197678

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FDV304P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV304P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOS场效应管 FDV304P 304 SOT-23

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+20：

￥0.883058

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￥0.597135

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￥0.438383

+3000：

￥0.317625

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￥0.301774

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 63 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDV304P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV304P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.515008

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￥0.417093

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￥0.331418

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 63 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV304P_未分类
FDV304P
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
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￥0.479935

+50：

￥0.39379

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￥0.350717

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￥0.318412

+2500：

￥0.292568

库存： 1000 +

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 暂无参数
FDV304P_未分类
FDV304P
MSKSEMI(美森科)
授权代理品牌
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￥0.621106

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￥0.498721

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￥0.437528

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￥0.391634

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￥0.354917

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： -30V

连续漏极电流(Id)： -1.5A

功率(Pd)： 1.56W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 900mΩ@-10V,-1.5A

阈值电压Vgs(th)@Id)： -0.4V至-1.5V@250uA

FDV304P_未分类
FDV304P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
+10：

￥0.241602

+100：

￥0.193522

+300：

￥0.169482

+3000：

￥0.151452

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￥0.137028

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDV304P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV304P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.29645

+100：

￥0.283503

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 63 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV304P_未分类
FDV304P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
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￥0.213444

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDV304P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV304P
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥0.342232

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 63 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV304P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 460mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.1 欧姆 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 63 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）