FDP027N08B-F102厂家价格_数据手册

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.194999 +10：￥28.13008 +50：￥23.441693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 246W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.553885 +10：￥19.964122 +50：￥18.423377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 246W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥16.433645 +100：￥15.450435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 246W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.188243 +10：￥15.288584 +100：￥12.369749 +500：￥10.995345 +1000：￥9.414711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 246W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.49326 +10：￥37.399926 +100：￥30.259682 +500：￥26.897527 +1000：￥23.030878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 246W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	FDP027N08B-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥50.862255 +10：￥44.199787 +50：￥42.737294 +100：￥35.749828 +250：￥34.774832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 800

艾睿

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	FDP027N08B-F102 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥25.025438 +1000：￥22.368626 +2500：￥21.682997 +5000：￥21.197345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	FDP027N08B-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 223A, 175度 C, 246W 下载数据手册未分类	+1：￥31.027569 +10：￥27.843871 +100：￥22.79852 +500：￥19.02125 +1000：￥17.942031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP027N08B-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+800：￥15.518112 +1600：￥15.235964 +2400：￥14.953817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP027N08B-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 80V, 223A, 175DEG C, 246W 下载数据手册未分类	+1：￥31.310537 +10：￥28.158798 +100：￥23.072198 +500：￥19.640577 +1000：￥16.561847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP027N08B-F102参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	178 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13530 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	246W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）