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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.15636 +200：￥0.06051 +500：￥0.058383 +1000：￥0.057333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO) 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO) 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO) 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)
	FJV4104RMTF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR 下载数据手册双极晶体管	+5855：￥0.283351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO) 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJV4104RMTF ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册晶体管	+1：￥3.097212 +10：￥2.102844 +100：￥1.336691 +1000：￥0.603142 +3000：￥0.505334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOT-23-3 系列： FJV4104R 产品种类：双极晶体管 - 预偏置配置： Single 晶体管极性： PNP 典型输入电阻器： 47 kOhms 典型电阻器比率： 1 安装风格： SMD/SMT 直流集电极/Base Gain hfe Min： 68 集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V 集电极连续电流： - 0.1 A 峰值直流集电极电流： 100 mA Pd-功率耗散： 200 mW 商标： onsemi / Fairchild 直流电流增益 hFE 最大值： 68 发射极 - 基极电压 VEBO： - 10 V 高度： 0.93 mm 长度： 2.92 mm 产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 类型： PNP Epitaxial Silicon Transistor 宽度： 1.3 mm 单位重量： 8 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FJV4104RMTF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Obsolete
晶体管类型:	PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA (ICBO)
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
温度: