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	FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.114302 +10：￥9.862232 +30：￥9.694186 +100：￥9.074514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.12729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥11.614718 +1600：￥11.409148 +2400：￥11.203578 +3200：￥10.998007 +4000：￥10.895221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB050AN06A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDB050AN06A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.716394 +800：￥4.441304 +2400：￥4.323362 +5600：￥4.126898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDB050AN06A0 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDB050AN06A0 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+800：￥2.711916 +2400：￥2.664803 +4000：￥2.593976 +9600：￥2.476139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥20.712428 +25：￥19.533751 +100：￥16.59879 +500：￥13.664051 +800：￥11.234301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.737975	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥18.555185	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.434994 +10：￥29.155982 +100：￥23.436059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.434994 +10：￥29.155982 +100：￥23.436059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

FDB050AN06A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	245W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）