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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB51T2R_null
EMB51T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

+1:

¥2.75184

+100:

¥1.56024

+1000:

¥0.798912

+4000:

¥0.541584

+8000:

¥0.409536

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 国内现货
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EMB51T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.450155

+16000:

¥0.411131

+24000:

¥0.391243

+40000:

¥0.368792

+56000:

¥0.355533

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
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EMB51T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥1.101196

+16000:

¥1.005734

+24000:

¥0.957083

+40000:

¥0.902163

+56000:

¥0.869729

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB51T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.966468

+10:

¥3.625777

+100:

¥2.282556

+500:

¥1.698148

+1000:

¥1.508905

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMB51T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.966468

+10:

¥3.625777

+100:

¥2.282556

+500:

¥1.698148

+1000:

¥1.508905

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
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EMB51T2R_晶体管
EMB51T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管

+1:

¥7.79396

+10:

¥5.406023

+100:

¥2.255274

+1000:

¥1.625125

+2500:

¥1.442714

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB51T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: