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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMD3T2R_晶体管-双极
EMD3T2R
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+20:

¥0.601007

+100:

¥0.449515

+1000:

¥0.34848

+8000:

¥0.252527

+40000:

¥0.227238

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

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EMD3T2R_null
EMD3T2R
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

+1:

¥5.52456

+100:

¥3.016512

+1000:

¥1.84608

+4000:

¥1.172304

+8000:

¥0.848736

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 国内现货
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EMD3T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.594845

+16000:

¥0.542375

+24000:

¥0.507394

+56000:

¥0.495173

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
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EMD3T2R_晶体管-双极
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥1.455148

+16000:

¥1.326792

+24000:

¥1.241219

+56000:

¥1.211325

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMD3T2R_晶体管-双极
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥6.942094

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¥5.227822

+100:

¥3.252868

+500:

¥2.225722

+1000:

¥1.712006

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMD3T2R_晶体管-双极
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥1.273263

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
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EMD3T2R_晶体管
EMD3T2R
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMD3T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: